四、高端电子基础产业能力提升

    （一）关键基础材料

    33.元器件用电子浆料关键指标：（1）片式元器件用导电银浆：方阻≤10mΩ/□，烧结膜厚 7～9μm，初始附着力≥35N；抗焊料侵蚀：260℃，30s，侵 3 次，阻值≤20Ω；耐酸性：5%的硫酸中浸泡 30 分钟，用胶带拉不脱落。（2）钌系电阻浆料：方阻 10Ω～1MΩ/□，温度系数±100ppm/℃，短时间过负荷阻值变化率±1%，静电放电阻值变化率±1%。（3）光伏用正面银浆：方块电阻≤10mΩ/□，附着力≥3N；背面银浆：方块电阻≤20mΩ/□，附着力≥5N。（4）铝浆：方块电阻≤10mΩ/□，翘曲度≤1.3mm（单晶）和 1.8mm（多晶）。耐湿热、使用寿命达到国际领先水平。实施目标：掌握高端电子浆料及电子浆料生产用主要原材料（如银粉、钌粉、玻璃粉等）的核心配方技术及工艺制备流程；提高产品及主要原材料生产过程中的批次稳定性，实现产业化能力，产品质量达到国际先进水平，满足国内电子元器件及太阳能光伏等行业电子浆料产品配套需求。

    34.静电图像显影剂用磁性载体关键指标：（1）比饱和磁化强度 40～70 emu/g。（2）体积电阻率 1×1012～1×1017Ω•cm。（3）粒度（D50）30～50μm。（4）流动性 15～60s。实施目标：开发有我国自主知识产权的系列磁性载体产品制备技术，实现工程化、产业化，并形成相应的技术标准和产品标准体系，产品质量达到国际先进水平。

    （二）核心基础零部件（元器件）

    35.单芯片 MEMS 声传感器关键指标：封装尺寸2.5×1.75×0.9mm，信噪比>67dB（f=1kHz，94dBSPL，A-weighted），灵敏度-38dB±1dB（f=1kHz，94dBSPL），电源电压抑制比＞60dB（f=217Hz）。实施目标：突破MEMS传声器芯片设计及批量化封装技术，实现单芯片系统集成 MEMS 传声器产品产业化，满足智能移动终端、穿戴式设备等新型产品对传声器超小型、高性能的需求。

    36.碲镉汞红外探测材料与器件关键指标：（1）碲锌镉晶锭直径大于 75mm，碲镉汞外延薄膜材料位错密度小于1×105。（2）探测器件光谱响应范围（3.5～4.9）±0.2μm，对于 320×256（像元中心距 30μm）、光学 F 数为 2 时，噪声等效温差 NEDT 小于 14mK。实现目标：掌握大直径的碲锌镉单晶生长、低位错密度的碲镉汞薄膜材料外延生长、像素中心距为 30μm 和 15μm 的列阵制备等关键技术，形成大面积碲锌镉衬底、低位错密度的碲镉汞薄膜及探测器列阵产业化能力，通过环境力学试验，达到应用的水平。

    37.电子元器件用陶瓷基板及基座关键指标：（1）片式电阻器（英制 0201 及以下）用氧化铝陶瓷基板：尺寸 L（60±0.6）mm×W（70±0.6）mm×T（0.18±0.01）mm，表面粗糙度 Ra≤0.3μm，翘曲度≤0.2mm。（2）高反光率 LED 用陶瓷基板：反光率≥95%，翘曲度≤0.002mm，导热率（R.T.）≥20W/m•K。（3）超小型石英晶体器件用陶瓷封装基座：尺寸（2.55±0.07）mm×（2.05±0.07）mm×（0.47±0.07）mm，翘曲度≤0.02mm，气密性氦漏率≤1×10-9Pa•m3/s，绝缘电阻≥1×109Ω。实施目标：掌握高性能功能陶瓷基板陶瓷材料配方，陶瓷浆料制备及成膜、平整度及尺寸控制、激光加工以及导电银浆制备及烧成控制技术，掌握超小型陶瓷封装基座陶瓷材料及导电浆料配方，生片和产品强度控制，打孔、印刷、叠层、钎焊等高精度加工技术，形成产业化能力，满足片阻及混合集成电路制造、LED 封装、SMD 频率器件制造等下游厂商的配套需求。

    38.直流变频控制器关键指标：（1）1.5P 空调器直流变频控制器：运行频率范围 1～160Hz，控制频率精度±1Hz，额定功率下压缩机驱动功率优于 97%，待机功率小于 1.0W，可靠性优于 1000ppm，压缩机参数自动辨识，自动适应 5 种型号以上的常用压缩机。（2）电冰箱直流变频控制器：运行频率范围 40～240Hz，控制频率精度±1Hz，加速度≥60Hz/s，能效工况下压缩机驱动功率优于97%，待机功率小于 0.35W，可靠性优于 1000ppm，压缩机参数自动辨识，自动适应 5 种型号以上的常用压缩机。实施目标：建立直流变频控制器性能研究、测试评价平台，具备变频控制器工程化和产业化能力，提高我国家用空调、电冰箱的变频控制器供应保障能力，降低变频空调、电冰箱成本。

    （三）产业技术基础

    39.电子元器件质量检测及可靠性技术基础公共服务平台（招标）关键指标：（1）电子元器件检测能力：覆盖主要门类电子元器件尤其是超大规模集成电路、射频和微波器件、电力电子器件、光电器件等核心器件的检测能力。（2）电子元器件可靠性试验能力：开展主要门类元器件的筛选试验、鉴定检验试验、质量一致性检验试验，以及寿命试验、失效率和强化应力试验；试验应力包括电、温度、机械、湿热、砂尘、霉菌、热真空及辐照等。（3）电子元器件可靠性分析能力：具备能够全面开展电子元器件失效分析、结构分析、以及破坏性物理分析的能力，元器件特定微区的微米级定向制样能力，碳纳米器件和材料的皮米级三维尺度观察测量以及结构、应力及温度的分析能力，表面微量成分的  ppb 级探测能力等。（4）产业化服务能力：具备电子元器件质量检测及可靠性保障等相关的培训服务能力，建成基于第三方服务和网络化支撑的保障平台，年服务电子信息企业超过 3000 家，年服务容量超 6000 批次。实施目标：具备主要门类电子元器件尤其是超大规模集成电路、射频和微波器件、电力电子器件、光电器件等核心器件的测试试验、质量鉴定检验、可靠性评价与分析等关键技术能力；具备基于第三方服务和网络化支撑的产业化技术服务能力；实现面向物联网、光电产业、汽车电子、新能源、智能终端以及国家战略核心器件的电子元器件质量检测和可靠性保障的应用要求。